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參數(shù)資料
型號: IXTA6N50D2
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 500 毫歐 @ 3A,0V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 96nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2800pF @ 25V
功率 - 最大: 300W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263AA
包裝: 管件
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