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參數資料
型號: IXTA80N10T7
廠商: IXYS
文件頁數: 5/5頁
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描述: MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
標準包裝: 50
系列: TrenchMV™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 80A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫歐 @ 25A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3040pF @ 25V
功率 - 最大: 230W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
供應商設備封裝: TO-263-7
包裝: 管件
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