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參數資料
型號: IXTE14N40X4
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 14A I(D)
中文描述: 晶體管| MOSFET功率模塊|獨立| 400V五(巴西)直|第14A條(丁)
文件頁數: 1/6頁
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代理商: IXTE14N40X4
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PDF描述
IXTE14N40X4U TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 14A I(D)
IXTE14N60X4U TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)DSS | 14A I(D)
IXTE18N50X4U TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 18A I(D)
IXTE22C20X4U TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 22A I(D)
IXTE25C10X4U TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 25A I(D)
相關代理商/技術參數
參數描述
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IXTF02N450 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAK
IXTF03N400 功能描述:MOSFET HI VOLTAGE MOSFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTF1N400 功能描述:MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IXTF1N450 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAK
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