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參數資料
| 型號： | IXTE25C10X4U |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET功率模塊|獨立| 100V的五（巴西）直|第25A條（丁） |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 561K |
| 代理商： | IXTE25C10X4U |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTE25N10X4U | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) |
| IXTE9N65X4 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 9A I(D) |
| IXTH10N60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247 |
| 2N6962 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2N6963 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-210AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTF02N450 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAK |
| IXTF03N400 | 功能描述:MOSFET HI VOLTAGE MOSFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTF1N400 | 功能描述:MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IXTF1N450 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAK |
| IXTF200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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