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參數資料
型號: IXTH11N100
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 1KV交五(巴西)直| 11A條(丁)|對218VAR
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代理商: IXTH11N100
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PDF描述
IXTH11N90 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR
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IXTH12N80 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR
IXTH12N95 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR
IXTH13N65 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR
相關代理商/技術參數
參數描述
IXTH11N80 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:MegaMOSFET
IXTH11N90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR
IXTH11N95 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR
IXTH11P45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-218VAR
IXTH11P50 功能描述:MOSFET -11 Amps -500V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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