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參數(shù)資料
型號(hào): IXTH12N95
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 950V五(巴西)直| 12A條(丁)|對(duì)218VAR
文件頁(yè)數(shù): 3/8頁(yè)
文件大小: 719K
代理商: IXTH12N95
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH13N65 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR
IXTH20N55 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-218VAR
IXTH21N45 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR
IXTH21N55 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR
IXTH21N60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH12P25 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR
IXTH130N10T 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH130N15T 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH130N20T 功能描述:MOSFET 130Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH13N110 功能描述:MOSFET 13 Amps 1100V 0.92 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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