- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361016 > IXTH12P25 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXTH12P25 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 250V五（巴西）直| 12A條（丁）|對(duì)218VAR |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 1098K |
| 代理商： | IXTH12P25 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTL250 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254 |
| IXTL25P10 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254 |
| IXTL350 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254 |
| IXTL450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-254 |
| IXTL4P50 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-254 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTH130N10T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH130N15T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH130N20T | 功能描述:MOSFET 130Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH13N110 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 1100V 0.92 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH13N65 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
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