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參數資料

型號：	IXTH13P20
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-218VAR
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| P通道\| 200伏五（巴西）直\|第13A條（丁）\|對218VAR
文件頁數：	8/12頁
文件大小：	1098K
代理商：	IXTH13P20

相關PDF資料	PDF描述
IXTH13P25	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-218VAR
IXTH15P15	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-218VAR
IXTH15P20	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-218VAR
IXTH5N95A	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 950V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-247
IXTH7P45	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-218VAR

相關代理商/技術參數	參數描述
IXTH13P25	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-218VAR
IXTH140P05T	功能描述:MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH140P10T	功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH14N100	功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.82 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH14N100	制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247

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