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參數資料
| 型號： | IXTH13P25 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 250V五（巴西）直|第13A條（丁）|對218VAR |
| 文件頁數： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 1098K |
| 代理商： | IXTH13P25 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IXTH15P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH7P45 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH8P45 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTH140P05T | 功能描述:MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH140P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH14N100 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.82 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH14N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXTH14N80 | 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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