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參數資料
| 型號： | IXTH17N65 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道|?650V五（巴西）直| 17A條（丁）|對218VAR |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | IXTH17N65 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH18N65 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH19N45 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH19N50 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH35N25 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH40N25 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-218VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTH17P25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH180N085T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH180N10T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH182N055T | 功能描述:MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH18N65 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-218VAR |
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