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參數(shù)資料
型號(hào): IXTH20N60MB
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5)
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五(巴西)直| 20A條(?。﹟的TO - 247(5)
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大?。?/td> 723K
代理商: IXTH20N60MB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH23N25MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247(5)
IXTH23N25MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247(5)
IXTH24N45MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5)
IXTH24N45MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5)
IXTH24N50MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH20P25 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-218VAR
IXTH20P50P 功能描述:MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH21N45 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR
IXTH21N50 功能描述:MOSFET 21 Amps 500V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH21N55 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-218VAR
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