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參數資料
| 型號： | IXTH24N50MB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247(5) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 24A條（?。﹟的TO - 247（5） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 723K |
| 代理商： | IXTH24N50MB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH27N35MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH27N35MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH27N40MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH27N40MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5) |
| IXTP30N10MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTH24N50Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH24P20 | 功能描述:MOSFET -24 Amps -200V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH260N055T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH26N45 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR |
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