- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361019 > IXTH26N50 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXTH26N50 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直|第26A條（丁）|對218VAR |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | IXTH26N50 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTL25N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254 |
| IXTL25N20 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254 |
| IXTM10N80 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3 |
| IXTM10N95 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3 |
| IXTM11N100 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTH26N60P | 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH26P20P | 功能描述:MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH27N35MA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH27N35MB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH27N40MA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247(5) |
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