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參數資料
型號: IXTH35N25MA
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247(5)
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五(巴西)直| 35A條(丁)|的TO - 247(5)
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 723K
代理商: IXTH35N25MA
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PDF描述
IXTH35N25MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247(5)
IXTH39N08MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5)
IXTH39N08MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5)
IXTH39N10MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5)
IXTH39N10MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5)
相關代理商/技術參數
參數描述
IXTH35N25MB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247(5)
IXTH35N30 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:MegaMOSTMFET
IXTH360N055T2 功能描述:MOSFET 360Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH36N20T 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH36N50P 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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