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參數資料
| 型號： | IXTH35N25MB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-247(5) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五（巴西）直| 35A條（丁）|的TO - 247（5） |
| 文件頁數： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 723K |
| 代理商： | IXTH35N25MB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH39N08MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH39N08MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH39N10MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH39N10MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 39A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH42N15MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247(5) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTH35N30 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:MegaMOSTMFET |
| IXTH360N055T2 | 功能描述:MOSFET 360Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH36N20T | 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH36N50P | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH36P10 | 功能描述:MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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