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參數資料
| 型號： | IXTH40N30 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-218VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 300V五（巴西）直| 40A條（丁）|對218VAR |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 581K |
| 代理商： | IXTH40N30 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTM42N20 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-3 |
| IXTH42N20 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-218VAR |
| IXTM4N100 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AC |
| IXTM4N60 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IXTM4N80 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTH40N30 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247 |
| IXTH40N50L2 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH41N25 | 功能描述:MOSFET 41 Amps 250V 0.072 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH420N04T2 | 功能描述:MOSFET Trench T2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH42N15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-218VAR |
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