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參數資料
型號: IXTH42N20
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-218VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五(巴西)直| 42A條(丁)|對218VAR
文件頁數: 3/4頁
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代理商: IXTH42N20
相關PDF資料
PDF描述
IXTM4N100 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AC
IXTM4N60 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IXTM4N80 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AC
IXTM4N90 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AC
IXTM4N95 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AC
相關代理商/技術參數
參數描述
IXTH42N20MA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247(5)
IXTH42N20MB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247(5)
IXTH440N055T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 440A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH44N30T 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH44P15T 功能描述:MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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