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參數資料
型號: IXTH42N20MB
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-247(5)
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五(巴西)直| 42A條(?。﹟的TO - 247(5)
文件頁數: 8/8頁
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代理商: IXTH42N20MB
相關PDF資料
PDF描述
IXTH67N08MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
IXTH67N08MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
IXTH67N10MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
IXTH67N10MB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
IXTP15N25MA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5)
相關代理商/技術參數
參數描述
IXTH440N055T2 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 440A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH44N30T 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH44P15T 功能描述:MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH450P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH460P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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