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參數(shù)資料
| 型號： | IXTH5N95 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 950V五（巴西）直| 5A條（丁）|至247 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | IXTH5N95 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH67N08 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH75N08 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH9N100 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH9N95 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR |
| IXTL13N65 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-254 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTH5N95A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247 |
| IXTH60N10 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 100 V 0.033 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH60N15 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 150V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH60N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH60N25 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.046 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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