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參數資料
| 型號： | IXTH5N95A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 950V五（巴西）直| 5A條（丁）|至247 |
| 文件頁數： | 11/12頁 |
| 文件大小： | 1098K |
| 代理商： | IXTH5N95A |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH7P45 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH8P45 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR |
| IXTL10P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254 |
| IXTL10P50 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254 |
| IXTL11P40 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTH60N10 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 100 V 0.033 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH60N15 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 150V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH60N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH60N25 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 250V 0.046 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH60N30T | 功能描述:MOSFET 60 Amps 300V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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