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參數資料
型號: IXTH67N08
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-218VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 80V的五(巴西)直| 67A條(?。﹟對218VAR
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代理商: IXTH67N08
相關PDF資料
PDF描述
IXTH75N08 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-218VAR
IXTH9N100 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR
IXTH9N95 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR
IXTL13N65 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-254
IXTL14N60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254
相關代理商/技術參數
參數描述
IXTH67N08MA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
IXTH67N08MB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
IXTH67N10 功能描述:MOSFET 67 Amps 100V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH67N10MA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
IXTH67N10MB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5)
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