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參數(shù)資料
| 型號： | IXTH67N10MB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 67A I(D) | TO-247(5) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 67A條（丁）|的TO - 247（5） |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 723K |
| 代理商： | IXTH67N10MB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP15N25MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP15N25MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP15N30MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP15N30MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP22N15MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220(5) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTH68N20 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Current MegaMOSFET |
| IXTH68P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH6N100D2 | 功能描述:MOSFET 6Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH6N120 | 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH6N150 | 功能描述:MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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