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參數資料
| 型號： | IXTH8P45 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-218VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 450V五（巴西）直| 8A條（丁）|對218VAR |
| 文件頁數： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 1098K |
| 代理商： | IXTH8P45 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTL10P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254 |
| IXTL10P50 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254 |
| IXTL11P40 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254 |
| IXTL14P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254 |
| IXTL150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTH8P50 | 功能描述:MOSFET -8 Amps -500V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH90N15T | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 90A TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IXTH90P10P | 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTH96N25T | 功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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