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參數資料
| 型號： | IXTH9N95 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-218VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 950V五（巴西）直| 9A條（?。﹟對218VAR |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | IXTH9N95 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTL13N65 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-254 |
| IXTL14N60 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254 |
| IXTL18N50 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-254 |
| IXTL24N40 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-254 |
| IXTM18N65 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTI10N60P | 功能描述:MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTI12N50P | 功能描述:MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTI76N25T | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
| IXTJ36N20 | 功能描述:MOSFET 36 Amps 200 V 0.07 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTJ4N150 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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