- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361020 > IXTK33N45 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXTK33N45 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五（巴西）直|第33A條（丁）|對264AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | IXTK33N45 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK90N15 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 90A I(D) | TO-264AA |
| IXTM15N45A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-204AC |
| IXTM15N50A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-204AC |
| IXTM15N55 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-3 |
| IXTM17N55 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTK33N50 | 功能描述:MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTK40P50P | 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTK46N50L | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTK550N055T2 | 功能描述:功率驅(qū)動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXTK5N250 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 5A TO264 |
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