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參數資料
| 型號： | IXTK90N15 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 90A I(D) | TO-264AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 150伏五（巴西）直| 90A型（丁）|對264AA |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | IXTK90N15 |
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Symbol
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic values
Min.
Typ. Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
50
65
S
C
iss
C
oss
C
rss
6400
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1700
pF
510
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
28
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1.5
(External)
30
ns
115
ns
17
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
240
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
55
nC
85
nC
R
thJC
R
thCK
0.30K/W
0.15
K/W
Source-Drain Diode
Ratings and Characteristics
(T
J
= 25°C unless otherwise specified)
Min.
Symbol
Test Conditions
Typ. Max.
I
S
V
GS
= 0V
90
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
360
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300 μs, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
I
F
= 30A, -di/dt = 100 A/μs, V
R
= 100V
300
ns
Q
rr
6
μ
C
IXTK 90N15
TO-264 AA Outline
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTM15N45A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-204AC |
| IXTM15N50A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-204AC |
| IXTM15N55 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-3 |
| IXTM17N55 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-3 |
| IXTH15N45A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTK90N25L2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTK90P20P | 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTL10P20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254 |
| IXTL10P50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-254 |
| IXTL11P40 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254 |
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