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參數資料
型號: IXTL25N10
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五(巴西)直|第25A條(丁)|至254
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文件大小: 719K
代理商: IXTL25N10
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PDF描述
IXTL25N20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254
IXTM10N80 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3
IXTM10N95 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3
IXTM11N100 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3
IXTM11N90 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-3
相關代理商/技術參數
參數描述
IXTL25N20 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254
IXTL25P10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254
IXTL2N450 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N CH 4500V 2A I5PAK
IXTL2x180N10T 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTL2x200N085T 功能描述:MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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