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參數資料
型號: IXTM12N45A
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AC
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五(巴西)直| 12A條(丁)|對204AC
文件頁數: 6/12頁
文件大小: 1098K
代理商: IXTM12N45A
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相關PDF資料
PDF描述
IXTM12P25 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-3
IXTM13P15 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3
IXTM13P20 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3
IXTM13P25 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-3
IXTM15P15 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-3
相關代理商/技術參數
參數描述
IXTM12N50 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
IXTM12N50A 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Standard Power MOSFET
IXTM12N80 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-3
IXTM12N90 功能描述:MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTM12N95 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-3
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