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參數資料
型號: IXTM9N95
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 950V五(巴西)直| 9A條(丁)|至3
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 719K
代理商: IXTM9N95
相關PDF資料
PDF描述
IXTS12N65 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-210AC
IXTH5N100 Standard Power MOSFET
IXTH5N100A Standard Power MOSFET
IXTH20P25 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-218VAR
IXTH22P15 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-218VAR
相關代理商/技術參數
參數描述
IXTM9P15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3
IXTM9P20 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3
IXTM9P25 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3
IXTN110N20L2 功能描述:MOSFET 100Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTN120N25 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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