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參數資料
型號: IXTN200N10T
廠商: IXYS
文件頁數: 5/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
標準包裝: 1
系列: TrenchMV™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 200A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.5 毫歐 @ 50A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 152nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 9400pF @ 25V
功率 - 最大: 550W
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: SOT-227-4,miniBLOC
供應商設備封裝: SOT-227
包裝: 管件
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