| 型號： | IXTN21N100 |
| 廠商： | IXYS |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B |
| 標準包裝： | 10 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 21A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫歐 @ 500mA，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 500µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 8400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安裝類型： | 底座安裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供應商設備封裝： | SOT-227B |
| 包裝： | 管件 |