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參數資料
型號: IXTP01N100D
廠商: IXYS
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
標準包裝: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss): 1000V(1kV)
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 100mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 110 歐姆 @ 50mA,0V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 120pF @ 25V
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應商設備封裝: TO-220
包裝: 管件
其它名稱: Q1614635
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