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參數資料
| 型號： | IXTP15N30MB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 300V五（巴西）直| 15A條（丁）|到220（5） |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 723K |
| 代理商： | IXTP15N30MB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP22N15MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP22N15MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP22N20MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP22N20MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP30N08MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTP15N50L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP15P15T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP160N04T2 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP160N075T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id160 BVdass75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP160N085T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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