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參數資料
| 型號： | IXTP22N20MB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220(5) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 22A條（丁）|到220（5） |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 723K |
| 代理商： | IXTP22N20MB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP30N08MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP30N08MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP30N10MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP8N45MA | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP8N45MB | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTP230N075T2 | 功能描述:MOSFET 230 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP240N055T | 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP24N15T | 功能描述:MOSFET 24 Amps 150V 100 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP24P085T | 功能描述:MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP260N055T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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