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參數資料

型號：	IXTP2P45
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| P通道\| 450V五（巴西）直\|甲（?。﹟至220
文件頁數：	1/12頁
文件大?。?/td>	1098K
代理商：	IXTP2P45

相關PDF資料	PDF描述
IXTP2P50	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220
IXTP5P20	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220
IXTP5P25	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220
IXTP5P45	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220
IXTP5P50	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-220

相關代理商/技術參數	參數描述
IXTP2P50	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220
IXTP2R4N120P	功能描述:MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP2R4N50P	功能描述:MOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP300N04T2	功能描述:MOSFET 300 Amps 40V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTP30N08MA	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-220(5)

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