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參數(shù)資料
| 型號： | IXTP3N110 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Power MOSFETs |
| 中文描述： | 3 A, 1100 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | IXTP3N110 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTM40N25 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-3 |
| IXTM40N30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-3 |
| IXTM42N15 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-3 |
| IXTM4N45 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AC |
| IXTM4N50 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTP3N120 | 功能描述:MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP3N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP3N50P | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP3N60P | 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP3N80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
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