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參數資料
| 型號： | IXTP3P50 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 500V五（巴西）直| 3A條（?。﹟至220 |
| 文件頁數： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 1098K |
| 代理商： | IXTP3P50 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP4N100A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N45A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N50A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N80A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTP42N15T | 功能描述:MOSFET 42 Amps 150V 0.045 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP42N25P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP44N10T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP44N15T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 150V 45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP44N25T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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