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參數資料
| 型號： | IXTP4N60A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 4A條（丁）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 1098K |
| 代理商： | IXTP4N60A |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP4N80A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N90A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N95A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTH13P15 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH13P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTP4N60P | 功能描述:MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP4N80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N80A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N80P | 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP4N90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
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