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參數資料
| 型號： | IXTP4N95 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 950V五（巴西）直| 4A條（丁）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | IXTP4N95 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTM50N15 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-3 |
| IXTM5N100 | Standard Power MOSFET |
| IXTM5N100A | Standard Power MOSFET |
| IYD6031 | Optoelectronic |
| IYD6051 | Optoelectronic |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTP4N95A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4P45 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220 |
| IXTP4P50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220 |
| IXTP50N085T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP50N20P | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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