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參數資料
| 型號： | IXTP5P50 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 500V五（巴西）直| 5A條（丁）|至220 |
| 文件頁數： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 1098K |
| 代理商： | IXTP5P50 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP6N60A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB |
| IXTP6P25 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220 |
| IXTP7N45A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
| IXTP7N50A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
| IXTP7P15 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTP60N10T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id60 BVdass100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP60N20T | 功能描述:MOSFET Trench POWER MOSFETs 200v, 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP62N15P | 功能描述:MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP64N055T | 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP6N100D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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