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參數資料
| 型號： | IXTP8N50MB |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 8A條（丁）|到220（5） |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 723K |
| 代理商： | IXTP8N50MB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IXMS150PSI | Controller Miscellaneous - Datasheet Reference |
| IXPD610 | Industrial Control IC |
| IXR100 | IXR100 - DISCONTINUED PRODUCT. No longer recommended for new design. |
| IXSA12N60AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTP8N50P | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CHANNEL 500V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP8N50PM | 功能描述:MOSFET 4.6 Amps 500V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP8P25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220 |
| IXTP90N055T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id90 BVdass55 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP90N055T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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