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參數資料
| 型號： | IXTP8P25 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 250V五（巴西）直| 8A條（丁）|至220 |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 1098K |
| 代理商： | IXTP8P25 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP9P15 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220 |
| IXTP9P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220 |
| IXTP9P25 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220 |
| IXTS10N65 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-210AC |
| IXTS10P50 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-210AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTP90N055T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id90 BVdass55 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP90N055T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP90N075T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP90N15T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTP96P085T | 功能描述:MOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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