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參數(shù)資料
型號(hào): IXTQ160N10T
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 30
系列: TrenchMV™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 160A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7 毫歐 @ 25A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6600pF @ 25V
功率 - 最大: 430W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-3P-3,SC-65-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-3P
包裝: 管件
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