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參數資料
型號: IXTQ18N60P
廠商: IXYS
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
標準包裝: 30
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 18A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 420 毫歐 @ 9A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25V
功率 - 最大: 360W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝: TO-3P
包裝: 管件
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