| 型號(hào)： | IXTQ200N10T |
| 廠商： | IXYS |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 200A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫歐 @ 50A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-3P |
| 包裝： | 管件 |