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參數(shù)資料
型號: IXTQ86N20T
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
標準包裝: 30
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 86A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 29 毫歐 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V
功率 - 最大: 480W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-3P-3,SC-65-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-3P
包裝: 管件
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