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參數資料
| 型號： | IXTS12N65 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-210AC |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道|?650V五（巴西）直| 12A條（?。﹟對210AC |
| 文件頁數： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 719K |
| 代理商： | IXTS12N65 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH5N100 | Standard Power MOSFET |
| IXTH5N100A | Standard Power MOSFET |
| IXTH20P25 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH22P15 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH22P20 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-218VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXTT02N450HV | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET |
| IXTT100N25P | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTT10N100D | 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTT10N100D2 | 功能描述:MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTT10P50 | 功能描述:MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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