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參數資料
型號: IXTT20N50D
廠商: IXYS
文件頁數: 5/5頁
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描述: MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
標準包裝: 30
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 20A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 330 毫歐 @ 10A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 250mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25V
功率 - 最大: 400W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA
供應商設備封裝: TO-268
包裝: 管件
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