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參數(shù)資料
型號(hào): IXTT26N60P
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
產(chǎn)品目錄繪圖: TO-268 Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 30
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 26A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 270 毫歐 @ 500mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4150pF @ 25V
功率 - 最大: 460W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-268
包裝: 管件
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