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參數(shù)資料
型號: IXTT69N30P
廠商: IXYS
文件頁數(shù): 1/5頁
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描述: MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 30
系列: PolarHT™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 300V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 69A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 49 毫歐 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4960pF @ 25V
功率 - 最大: 500W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-268
包裝: 管件
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